Máy hàn thái lan HETER 400A, sử dụng công nghệ biến tần IGBT, tiết kiệm diện tích, nâng cao hiệu suất hàn
Công dụng: dùng để kết dính 2 vật liệu với nhau
Công suất đầu ra 5.6 KVA
Xuất xứ: Thái Lan
Bảo hành: 12 tháng
Bạn hãy đăng nhập để được dự báo thời gian & chi phí giao hàng một cách chính xác nhất.
Điện áp nguồn | 220-380v |
Tần số | 50/60Hz |
Công suất đầu ra | 5.6 KVA |
Điện áp chạy không tải VDC | 62V |
Điện áp ra khi tải VDC | 42V |
Sử dụng được que hàn từ | 1.6 - 3.2 ly |
Máy hàn điện tử đạt | 10 - 400A |
Tỷ lệ duy trì phụ tải | 80% |
Tốn hao không tải | 90W |
Hiệu suất đạt được | 95% |
Ước số công suất | 0.93 |
THÔNG TIN CHI TIẾT SẢN PHẨM
Ưu điểm và Công dụng:
Sản phẩm máy hàn điện tử Heter ARC - 400 Sử dụng công nghệ biến tần IGBT, tiết kiệm diện tích của máy biến áp chủ, nâng cao hiệu suất hàn lên đến 30%, bền hơn với mạch dò nhiệt và bảo vệ. Sử dụng được que hàn từ 1,6 - 3.2 ly, hàn được chấm boong que 4.0 ly cho mối hàn rất đẹp. Thích hợp với tất cả vật liệu hàn bằng sắt, công suất cực mạnh. Máy được các thợ hàn chuyên nghiệp ưa thích và được sử dụng rộng rãi trong xây dựng, cơ sở hàn, thiết bị cơ khí, xe, tàu
– Tiết kiệm điện hơn, dòng hàn ổn định
– Mối hàn đẹp và sáng hơn,mối hàn ngấu và đều đẹp.
– Trọng lượng nhẹ, dễ sử dụng
-Chiếc máy hàn que với thiết kế nhỏ gọn tiện lợi dễ sử dụng, thích hợp với đi công trình Sử dụng công nghệ Inverter – IGBT, tần số 20 KHz, giảm đáng kể kích thước và trọng lượng của máy hàn.
Thiết kế tiên tiến cung cấp nguồn điện phụ trợ, Tạo ra một phạm vi rộng lớn hơn của nguồn điện hàn.
Cấu trúc mạch tương đương IGBT
Về cấu trúc bán dẫn, IGBT rất giống với MOSFET, điểm khác nhau là có thêm lớp nối với collector tạo nên cấu trúc bán dẫn p-n-p giữa emiter (tương tự cực gốc) với collector (tương tự với cực máng), mà không phải là n-n như ở MOSFET. Vì thế có thể coi IGBT tương đương với một transistor p-n-p với dòng base được điều khiển bởi một MOSFET.
Dưới tác dụng của áp điều khiển Uge>0, kênh dẫn với các hạt mang điện là các điện tử được hình thành, giống như ở cấu trúc MOSFET.Các điện tử di chuyển về phía collector vượt qua lớp tiếp giáp n-p như ở cấu trúc giữa base và collector ở transistor thường, tạo nên dòng collector.
SẢN PHẨM ĐÃ XEM
Đăng ký nhận tin Khuyến mãi
Đăng ký nhận tin khuyến mãi và các thông tin cập nhật mới nhất từ Siêu Chợ Cơ Khí