Máy hàn thái lan HETER 400A, sử dụng công nghệ biến tần IGBT, tiết kiệm diện tích, nâng cao hiệu suất hàn

Thương hiệu: Khác
2.340.000 đ

Công dụng: dùng để kết dính 2 vật liệu với nhau

Công suất đầu ra 5.6 KVA

Xuất xứ: Thái Lan

Bảo hành: 12 tháng

Số lượng
+

Bạn hãy đăng nhập để được dự báo thời gian & chi phí giao hàng một cách chính xác nhất.

0/5
0 đánh giá
240
Sản phẩm
3
Yêu thích
Cam kết chính hãng 100%
XEM SHOP
0 đánh giá
240
3
34 tháng trước
THÔNG SỐ KỸ THUẬT
Điện áp nguồn  220-380v
Tần số   50/60Hz
Công suất đầu ra   5.6 KVA
Điện áp chạy không tải VDC   62V
Điện áp ra khi tải VDC  42V
Sử dụng được que hàn từ  1.6 - 3.2 ly
Máy hàn điện tử đạt   10 - 400A 
Tỷ lệ duy trì phụ tải  80%
Tốn hao không tải   90W
Hiệu suất đạt được  95%
Ước số công suất   0.93

THÔNG TIN CHI TIẾT SẢN PHẨM

 Ưu điểm và Công dụng:

Sản phẩm máy hàn điện tử Heter ARC - 400 Sử dụng công nghệ biến tần IGBT, tiết kiệm diện tích của máy biến áp chủ, nâng cao hiệu suất hàn lên đến 30%, bền hơn với mạch dò nhiệt và bảo vệ. Sử dụng được que hàn từ 1,6 - 3.2 ly, hàn được chấm boong que 4.0 ly cho mối hàn rất đẹp. Thích hợp với tất cả vật liệu hàn bằng sắt, công suất cực mạnh. Máy được các thợ hàn chuyên nghiệp ưa thích và được sử dụng rộng rãi trong xây dựng, cơ sở hàn, thiết bị cơ khí, xe, tàu

– Tiết kiệm điện hơn, dòng hàn ổn định

– Mối hàn đẹp và sáng hơn,mối hàn ngấu và đều đẹp.

– Trọng lượng nhẹ, dễ sử dụng

-Chiếc máy hàn que với thiết kế nhỏ gọn tiện lợi dễ sử dụng, thích hợp với đi công trình Sử dụng công nghệ Inverter – IGBT, tần số 20 KHz, giảm đáng kể kích thước và trọng lượng của máy hàn.

Thiết kế tiên tiến cung cấp nguồn điện phụ trợ, Tạo ra một phạm vi rộng lớn hơn của nguồn điện hàn.

Cấu trúc mạch tương đương IGBT

Về cấu trúc bán dẫn, IGBT rất giống với MOSFET, điểm khác nhau là có thêm lớp nối với collector tạo nên cấu trúc bán dẫn p-n-p giữa emiter (tương tự cực gốc) với collector (tương tự với cực máng), mà không phải là n-n như ở MOSFET. Vì thế có thể coi IGBT tương đương với một transistor p-n-p với dòng base được điều khiển bởi một MOSFET.

Dưới tác dụng của áp điều khiển Uge>0, kênh dẫn với các hạt mang điện là các điện tử được hình thành, giống như ở cấu trúc MOSFET.Các điện tử di chuyển về phía collector vượt qua lớp tiếp giáp n-p như ở cấu trúc giữa base và collector ở transistor thường, tạo nên dòng collector.

KHÁCH HÀNG NHẬN XÉT
Đánh giá trung bình
(0 nhận xét)
5
0%
4
0%
3
0%
2
0%
1
0%
Chọn xem đánh giá:

Đăng ký nhận tin Khuyến mãi

Đăng ký nhận tin khuyến mãi và các thông tin cập nhật mới nhất từ Siêu Chợ Cơ Khí

Chat